KLA-Tencor介绍PROLITH(TM) 12 -一种针对极紫外光刻挑战的计算光刻工具

苗必达,加州——(业务线)

今天，KLA-Tencor公司(纳斯达克代码:kac)推出了PROLITH(TM) 12，这是其行业领先的计算光刻工具的新版本。这种新工具使尖端芯片制造商和联盟的研究人员能够成本有效地探索各种掩模设计、照片材料和与极紫外线(EUV)光刻相关的工艺的可行性。

缩小芯片上关键器件特性的尺寸可以使晶圆厂生产更快的微处理器，但在制版过程中用于曝光掩模的光波长限制了可创建特性的尺寸。在过去的几代设备中，半导体行业一直在使用深紫外光。下一个较短的波长是EUV。专家预测，极紫外光刻技术有潜力制造出比当今最强大的芯片快100倍的器件。

KLA-Tencor过程控制信息部门副总裁兼总经理Ed Charrier表示:“虽然行业路线图将EUV光刻技术列为未来几年内制造半导体器件的潜在技术，但仍有几个技术障碍需要克服。“我们新的计算光刻工具PROLITH 12，使研究人员能够严格模拟EUV光与掩模、图案材料和工艺的相互作用，以预测图案在晶圆上的结果。有了PROLITH 12，研究人员不需要使用实验材料或原型工艺设备，也不需要通过打印数百块测试晶圆的昂贵而漫长的过程。”

在历史上，光刻波长的改变一直是一项重大的任务，因为必须开发和测试新的扫描仪、新的感光材料和新的掩模。向EUV光刻技术的转变将带来一个新的挑战，即必须使用来自不透明掩模的反射光来制作晶圆，因为没有已知的、实用的掩模材料对EUV光是透明的。这种根本性的变化导致了晶圆上印刷图案的不对称。PROLITH 12被设计用来处理这些和其他EUV系统所特有的挑战。

PROLITH 12可作为行业领先的PROLITH平台的升级，是KLA-Tencor高级光刻解决方案组合的关键产品。PROLITH 12已经被运往美国和亚洲的工业联盟和先进的存储器制造商，在那里它被用来帮助研究工程师确定极紫外光刻的可行性，并绘制出极紫外光刻成功的条件。

KLA-Tencor将在10月6日至10日的SPIE/BACUS Photomask USA 2008研讨会上展示PROLITH(TM) 12，展位号为104，位于加利福尼亚州蒙特利的万豪酒店。

关于KLA-Tencor:

KLA-Tencor公司是全球领先的半导体和相关微电子行业过程控制和良率管理解决方案供应商。公司总部位于加利福尼亚州米尔皮塔斯，在世界各地设有销售和服务办事处。beplay官网ued作为标准普尔500公司beplay官网ued，KLA-Tencor在纳斯达克全球精选市场交易，代码为kac。有关该公司的更多信息，请访问beplay官网ued//m.lisalozano.com．(KLAC-P)。

前瞻性陈述:

除历史事实外，本新闻稿中的声明，如预计向EUV光刻技术转移的声明和PROLITH 12应对这一预计转移相关挑战的能力，都是前瞻性声明，并受1995年《私人证券诉讼改革法案》(Private Securities Litigation Reform Act)创建的“安全港”(Safe Harbor)条款的约束。这些前瞻性声明是基于当前的信息和预期，并涉及一些风险和不确定性。由于各种因素，包括由于未预料到的费用或性能问题而推迟采用新技术，实际结果可能与这些报表中预测的结果有很大不同。

来源:KLA-Tencor公司

2008年9月30日发布