KLA-Tencor的新冲浪扫描SP2XP晶圆检测系统结合了最高的灵敏度和吞吐量，以使45nm生成无缺陷晶片

加利福尼亚州圣何塞 - （商业资讯） -

KLA-Tencor（纳斯达克：KLAC）今天推出了一个新的未绘图晶圆检测系统，旨在满足45nm的IC制造要求，适用于所有类型的裸晶圆，包括主要晶片，SOI（绝缘体上的绝缘体），外延和工程基板。采用专有的五通道检测技术，SurfScan SP2XP首次为客户提供检测所有主要类型的缺陷和快速将其晶圆分成无缺陷，可重新的可替换和废料类别的缺陷类型和缺陷的数量。该关键信息使晶片制造商能够重新工作以前以前报废，提高产量和增加盈利能力的晶片。

“对于全球的几乎所有晶圆供应商和芯片制造商，Surfscan是未染色的晶圆检查的行业标准。我们的新冲浪SP2XP系统现在为客户提供了满足45nm生产艰难挑战所需的吞吐量和生产力，”迈克克尔克KLA-Tencor晶圆检验组副总裁。“这一行业领先的晶圆供应商已经使用新系统更具成本有效地生产出无缺陷的45nm发电晶片。我们计划很快将SurfScan SP2XP技术超越裸衬底检查到大量的毯子薄膜工具半导体制造中所需的监控应用。“

通过双入射暗场频道增强，加上新的BrightField频道，SurfScan SP2XP系统捕获了全谱的缺陷类型，然后利用多通道比较算法来可靠地分离重新可行的“内在”缺陷，在单个检查步骤中。甚至在其增加的检测能力，与冲浪扫描SP2相比，新系统的吞吐量增加了20％至50％的吞吐量。

SurfScan SP2XP系统已通过Beta伙伴关系广泛测试，其中晶圆供应商包括SOITEC，世界领先的SOI晶片供应商。

“新的冲浪SP2XP系统是唯一提供SOI灵敏度，独立于电影厚度的系统，我们需要解决45nm芯片制造，而同时提供了生产力的重大飞跃，”Christophe Maleville（副总裁）指出工程，在SOITEC。“KLA-Tencor的最新冲浪斯科技术使我们能够使用与散装硅的相同规格检查我们的SOI基板，这有助于提高我们产品的产量和性能。”

关于KLA-Tencor：KLA-Tencor是半导体制造和相关行业的产量管理和过程控制解决方案的全球领导者。该公司总部位于加利福尼亚州圣何塞，世界各地拥有销售和服务办公室。beplay官网uedKLA-Tencor在beplay官网ued符号KLAC下的纳斯达克全球选择市场上交易。有关该公司的其他信息可供选择beplay官网ued//m.lisalozano.com.。

SurfScan SP2XP技术摘要新的晶圆检测技术

在第一次为行业中，Surfscan SP2XP提供了检测45nm发电素，EPI和SOI晶片上的产量杀死固有或“晶体”缺陷的可靠方法，并将它们与重新加工抛光或衰落的缺陷分开。这种能力允许晶片制造商减少先前因其无法区分缺陷类型而引起的废钢晶片。

增强的检测技术检测更多缺陷类型

除了冲浪扫描的传统倾斜和正常入射态暗场频道之外，新系统还采用了一个明菲尔菲尔德渠道，提供了另一种检测具有挑战性的缺陷类型的方法。该亮野通道与Darkfield频道同时操作，提供差分干扰对比度（DIC）能力，其使用激光束的相位来区分大而浅的缺陷，提供额外的缺陷分类。

一步双发扫描

新系统可以在一步中执行斜倾斜和正常的入射扫描。通过窄和宽的集合通道，SurfScan SP2XP可以从五种不同的光学配置产生数据：斜窄，倾斜普通窄，正常和明场。这种独特的综合光学设计可以检测所有缺陷类型。系统的UV波长将激光束限制在晶片表面上，从而最大限度地减少了掩埋缺陷的假计数。抛光晶圆上的30nm敏感性代表了行业最高的生产敏感水平。

基于交叉渠道规则的啤酒

通过比较来自多个可用通道的数据，基于新的基于规则的分子（RBB）算法可以将内在缺陷与具有基本上更高的精度和纯度的抛光和衰落的缺陷分开。

检测挑战45nm缺陷在粉末中的划痕和新出现的缺陷

SurfScan SP2XP系统可以捕获浅CMP划痕 - 影响闪存应用的产量的缺陷。该系统还识别出先前未被注意的缺陷类型，例如橙皮，水印，浆料残余物和表面粗糙度变化，其具有低散射强度和与过程工具问题的高相关性。SP2XP检测并将LLPD刻面凹坑（也称为空气口袋或气泡）与其他缺陷（如微划痕，颤振）和颗粒分开。控制这些缺陷类型对于门性能至关重要。

EPI晶圆上堆叠故障的分类

在外延硅晶片中，最常见的晶体缺陷是EPI堆叠故障（ESF）。新系统可以改善从其他常见的ePI缺陷的堆叠故障的分离，例如颗粒和薄片，这可能会通过IC制造商对45nm的要求。

将空隙与SOI晶片的粒子区分开来

SOI晶片，如主要晶片，可含有SOI晶片表面的产量杀死空隙缺陷。SurfScan SP2XP技术可以将空隙与相对无害的颗粒和其他坠落缺陷分开，这可能是可重新的。利用这种能力，只需要具有大颗粒的晶片，只需用空隙的晶片报废。

资料来源：KLA-Tencor

2007年1月30日发布