첨단패키징을위한웨이퍼공정시스템
첨단패키징을위한웨이퍼공정시스템
spt는고밀도팬아웃웨이퍼레벨패키징(FOWLP)과금속이채워진실리콘관통전극(TSV)를사용하여수직방향으로두개이상의死를적층시키고연결하는가장진보된3 d패키지까지여러가지첨단패키징공정을위한다양한플라즈마식각및증착공정기술을제공합니다。또한spt는실리콘식각분야에서오랫동안축적된전문성을활용하여최대300毫米직경웨이퍼의DBG(磨前切丁)또는DAG(切丁后磨)공정을위한가장진보된플라스마분할(切丁)솔루션을제공합니다。반도체칩제조업체는spt의양산에입증된공정과정밀한공정관리를통해생산비용을감소시키고신뢰성,성능,다양한기능을제공할수있습니다
欧米茄®플라즈마식각
실리콘플라즈마식각시스템
spts omega.®플라즈마식각시스템은어드밴스드패키징어플리케이션에서요구되는초고속의식각속도를자랑하는剑杆™모듈을포함하고있습니다。이모듈은주로수직형태(垂直),점점가늘어지는형태(锥形)높은종횡비형태(高纵横比)의비아홀형성,실리콘웨이퍼를관통하는슬롯형성을위해다양하게사용이됩니다。특히2.5 d또는3 d IC패키징을위한인터포저형성을위하여웨이퍼뒷면으로부터실리콘내铜가부채워진通过를노출시키는전면식각(通过揭示)에서주로사용됩니다。그리고상위버전剑杆™XE모듈은전면식각에서일반적으로경쟁사대비2 - 4배더빠른식각속도를제공하며레시피를이용하여웨이퍼균일도를조절할수있습니다。또한이,러한전면식각방식공정을이용하면5µm심지어0.5µm두께까지극도로얇은실리콘웨이퍼를형성시킬수있습니。그리고특허보호를받는spt고유의엔드포인트(环保署)솔루션을이용하면비아홀형성(TSV)전면식각(通过揭示),극도로얇은실리콘형성(极端稀疏)의양산공정에서최적의처리량과높은수율을관리할수있습니다。
马赛克™플라즈마절단
플라즈마절단시스템
spt의马赛克™플라즈마다이싱시스템은실리콘웨이퍼로부터다이들을분단시키며(최대프레임위300毫米웨이퍼)기존의물리적인방법(机械)과레이저기술을이용한다이싱공법의대안입니다。플라즈마다이싱은건식식각방식을이용하여데미지가낮은다이,높은다이강도의형성,입자오염을방지하는데도움이됩니다。이러한장점들은특히데미지에취약한얇은웨이퍼,性能박막이포함된웨이퍼그리고다이투웨이퍼본딩(die-to-wafer键)를가공할때더기여할수있습니다。또한,병렬공정이기에초소형다이가공에서높은생산처리량,얇은웨이퍼가공에서높은수율로인해경제적이점을제공합니다。그리고굉장히좁은스크라이브레인에서도공정이가능하기때문에동일웨이퍼내더많은다이를배치시킬수있으며,다이모양에관계없이다이싱이가능하기때문에있어사용자입장에서최적화된웨이퍼레이아웃이가능합니다。
σ®周围性血管疾病
금속증착을위한물리기상증착(PVD)시스템
spts sigma.®PVD시스템은실리콘또는몰드웨이퍼위에au，al，ti，tiw，cu와같은금속을증착데사용됩니다。유기보호막과신소재등등사용하는언더하는언더범프（UBM）와와（RDL）과같은첨단패키징에는적적이있습니다σ®PVD시스템은아웃가싱제거(德)및표면산화물제거(Pre-Clean)기술을사용함으로써다른물리기상증착(PVD)시스템에비해낮은Rc값을생성하면서도생산성을2배이상더높이는장점이있습니다。특히2.5 d와3 d-ic패키징응용분야에서spt의첨단Hi-Fill®이온화화물리기상（AHF-PVD）은높은종횡비（AR）의의관통전극（TSV）에서Cu屏障/种子에에대해최고수준의의cover최고수준수준수준cover최고수준수준수준cover covercover제공제공제공합니다
三角洲™PECVD
플라즈마화학기상증착(PECVD) "시스템
SPTS DELTA™PECVD시스템은첨단패키징응용의300 mm접합기판과몰드사용할수수있는저온증착을제공제공Delta™PECVD는110°C와같은낮은증착에서검증된고품질의sio및sin박막을생산합니다。동일한PECVD챔버안에서的SiN - 二氧化硅층을증착할수있으며생성된박막은높은신뢰수준의전기적인특성과시간에따른안정성을갖고있습니다。단일및적층막의스트레스를넓은범위로조절할수있으며챔버하드웨어의최적화를통해서다른PECVD시스템에비해웨이퍼내스트레스편차를최소화할수있습니다。필요에따라단일웨이퍼또는멀티멀티이퍼의가스가스또한또한최적화sio，teos sio및첨단유전유전융합융합접합（融合粘接）응용응용사용할수있습니다。