转换、放大和转换电能的能力对于创新的历史和未来都是至关重要的。从一百多年前第一个将交流电(AC)转换成直流电(DC)的整流器开始，通常由硅(Si)制成的功率器件就发挥了关键的技术作用。

如今，几乎每个行业都能使用电力设备，从洗衣机和冰箱等节能消费品，到移动通信、汽车电力电子和工业控制。然而，就像电子工业的其他部分一样，它们的普遍重要性创造了对更低功耗和更小尺寸下更高性能和可靠性的需求。推动这种需求的行业包括5 g通信电动汽车、轨道交通电气化和可再生能源。

宽禁带(银行)

宽带隙(WBG)半导体材料是这些应用的理想材料，因为它们能够承受高温和电场，通常在恶劣的环境条件下。碳化硅(SiC)是用于解决这些挑战性要求的主要WBG半导体材料之一。这是因为这种材料能够在更高的温度下工作，并承受10倍强的电场，同时具有与硅(Si)器件相同的尺寸。

σ^®f物理气相沉积(PVD)系统

在最近发表的一篇文章中SiC功率器件的PVD金属化SPTS公司拥有先进的物理气相沉积(PVD)技术，可在高达200mm的SiC晶圆上实现正面和背面金属化。SPTS注意到WBG的批量生产电力设备通常是在100mm和150mm晶圆上，但现在有几个功率器件制造商正在努力实现扩展到200mm晶圆格式的成本效益。

由于SPTS在300毫米硅片上金属化硅功率器件方面有着丰富的经验σ^®fxP PVD系统在美国，将类似金属沉积到200mm SiC晶圆上并不会带来太多新的挑战。通过独特的硬件特点和工艺能力，Sigma^®fxP解决了高质量金属膜和大批量生产的需求。

了解更多关于制造SiC器件的具体挑战，以及如何Sigma^®fxP PVD解决方案解决了这些问题，读这篇文章由KLA公司SPTS Technologies发布。beplay官网ued