In Situ 공정 관리

In Situ 공정 관리

Kla의sensarray.®종합 포트폴리오를 통해 공정 툴 환경의 모니터링 및 In Situ 인증이 가능해집니다. 유선 및 무선 센서 웨이퍼 및 레티클, 자동화 패키지 및 데이터 분석 시스템을 갖춘 SensArray 제품은 다양한 웨이퍼 및 레티클 공정을 위한 종합 정보를 제공합니다. 웨이퍼 공정 설비 제조업체, IC 제조업체 및 레티클 제조업체는 공정 조건을 제어, 진단 및 시각화하기 위해 SensArray 데이터를 사용합니다.

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etchtemp.시리즈

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etchtemp.시리즈

In Situ 플라즈마 식각 웨이퍼 온도 측정 시스템

In situ 웨이퍼 온도 측정 시스템의 EtchTemp 시리즈는 생산 웨이퍼 내 플라즈마 식각 공정 환경의 효과를 검출합니다. EtchTemp-HD 측정 시스템은 높은 수준의 센서 밀도를 포함하여 도체 식각 애플리케이션을 위한 CD 산포 제어와 관련 있는 웨이퍼에 걸친 온도 모니터링을 가능하게 합니다. EtchTemp-HD 무선 웨이퍼는 제품 웨이퍼 조건을 면밀히 표현하는 온도 조건을 특성화하여 전공정 플라즈마 식각 챔버의 식각 공정 조건 미세 조정 작업, 인증, 매칭과 PM 후 검증을 하는 공정 엔지니어를 지원합니다.

응용분야

공정 개발, 공정 인증, 공정 툴 모니터링, 공정 툴 인증, 챔버 매칭, 공정 툴 매칭

유전체 플라즈마 식각(EtchTemp), 도체 플라즈마 식각(EtchTemp-HD, EtchTemp SE-HD, EtchTemp-SE), 이온 주입 | 20-140°C

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SensArray®자동화

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SensArray®자동화

In Situ 온도 측정 자동화 패키지

SensArray®자동화 패키지는 공정 툴 챔버 온도 측정의 신속한 자동화 콜렉션을 제공합니다. 해당 패키지는 오버헤드 트랙(OHT)와 호완되는 FOUP, 자동화 스테이션, 시스템 자동화 컨트롤러와 오피스 PC 소프트웨어 사용권을 제공합니다. SensArray FOUP는 SPC 차트로의 직접 데이터 포팅이 가능하며 모든 생산 FOUP와 동일한 방식으로 처리 가능합니다. SensArray 자동화는 공정 툴 가용성 증대, 엔지니어링 자원 활용 효율화 및 Fab MES 데이터베이스 내 데이터 스토리지 중앙화를 통해 개선된 생산성을 제공합니다.

응용분야
공정 개발, 공정 인증, 공정 툴 모니터링, 공정 툴 인증, 챔버 매칭, 공정 툴 매칭
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HighTemp-400

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HighTemp-400

In Situ 박막 증착 웨이퍼 온도 측정 시스템

HighTemp-400 In SItu 웨이퍼 온도 측정 시스템은 첨단 박막 공정과 (FEOL 및 BEOL ALD, CVD 및 PVD) 기타 고온 공정을 최적화하고 모니터하기 위해 설계됐습니다. HighTemp-400 무선 웨이퍼는 공정 툴 열 산포를 측정하여 실제 생산 공정 조건 하에서 시계열 및 공간 온도 데이터를 수집합니다. HighTemp-400은 공정 윈도우 및 패터닝 성능에 영향을 주는 열 변화를 나타내어 IC 제조업체들이 신소재, 트랜지스터 기술 및 복잡한 패터닝 기법을 통합하는 작업을 지원합니다.

응용분야

공정 개발, 공정 인증, 공정 툴 모니터링, 공정 툴 인증, 공정 툴 매칭

얇은 박막 증착 | 20-400°C

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UV웨이퍼

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UV웨이퍼

In Situ 증착 및 어닐 자외선 측정 시스템

UV웨이퍼In Situ 자외선(UV) 측정 시스템은 무선 센서 웨이퍼 기술을 활용하여 자외선 양 및 강도를 박막 증착 공정 툴 내 웨이퍼 표면에서 측정합니다. 이전에는 사용할 수 없었던 공정 최적화와 모니터링이 가능해진 UV 웨이퍼는 Low-k 유전체 박막과 FCVD(가류성) 산화 물질을 강화하거나 어닐하기 위해 사용하는 UV 램프에서부터 웨이퍼 표면에 닿는 조명의 강도에 대한 시계열 및 공간 정보를 제공합니다. UV 웨이퍼는 균일하지 않은 박막 속성에 기인하는 노후화로 인한 램프 강도의 변화 또는 기타 램프 강도의 변화를 파악할 수 있습니다. UV 램프 하위 시스템 내 광학 시스템 이슈를 강조함에 따라 UV 웨이퍼는 엔지니어들이 최적 경화 공정에 도달할 수 있도록 공정 툴 개선을 주도합니다.

응용분야

공정 개발, 공정 인증, 공정 툴 인증, 공정 툴 모니터링, 공정 툴 매칭

박막 증착, UV 경화, UV 어닐

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MaskTemp™ 2

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MaskTemp™ 2

In Situ 레티클 온도 측정 시스템

MaskTemp™ 2 In Situ 레티클 온도 측정 시스템은 전자 빔 가공기 및 고온 레티클 공정 단계의 모니터링 및 인증을 위해 마스크 샵에서 사용됩니다. 마스크를 완전히 인쇄하려면 긴 시간 (최대 24시간) 동안 극한 온도 안전성이 필요하기 때문에 MaskTemp 2는 전자 빔 마스크 가공기 인증 과정에서 중요한 역할을 수행합니다. 전자 빔 마스크 가공기 내에서 MaskTemp 2는 24시간 동안 연속적으로 온도 데이터를 수집하고 중대한 영향을 미칠수 있는 마스크 인쇄 전에 시스템의 온도 안정성을 확보하기 위해 필요한 데이터를 마스크 제조업체에게 제공합니다. 또한 Mask Temp 2는 후노광 베이크 특성화, 열판 온도 산포 모니터링, 열판 매칭과 기타 고온 공정 애플리케이션을 지원하여 마스크 제조업체가 최종 레티클 품질에 영향을 줄 수 있는 인쇄 후 공정 온도 변화를 감소시키고 파악하도록 도와줍니다.

응용분야

전자 빔 마스크 가공 인증, 공정 개발, 공정 제어, 공정 인증, 공정 모니터링, 공정 툴 인증, 공정 툴 매칭

전자 빔 마스트 가공 | 20-40°C
후노광 베이크 | 20-140°C

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ScannerTemp

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ScannerTemp

In Situ 스캐너 웨이퍼 온도 측정 시스템

SCANNERTEMP原位웨이퍼웨온도측정측정은은은,이머전및euv litho스캐너스캐너모니터링을합니다。scannertemp原位웨이퍼는litho엔지니어들이패턴패턴이성능에영향을주는열변화를특성하고모니터수웨도와주는고정밀시계열공간웨웨온도데데데데데데생성생성생성생성합니다합니다합니다생성생성생성평평한표준두께웨이퍼양식양식을탑재탑재한는는높은정밀도와낮은수준의즈즈즈즈열열하는데하는데모니터링모니터링지원스캐너을을지원지원지원을을지원

응용분야

공정 개발, 공정 인증, 공정 툴 모니터링, 공정 툴 인증, 공정 툴 매칭

光泽스캐너 | 20-24°C

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集成晶圆™

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集成晶圆™

In Situ Litho 웨이퍼 온도 측정 시스템

Integrated Wafer™原位웨웨퍼측정측정시스템시스템시스템은은공정공정을유지하고하기중대한영향영향주는주는열열중대한을을주는주는열중대한을주는주는주는하고하고측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정측정¶무선의低调설계설계갖춘集成晶圆는거의모든litho공정설비사용集成晶圆는litho엔지니어들이운반,가열,냉각및정상운영을한온도부분부분분석열량산포특성화하도록도움제공특성화하도록제공합니다화을제공합니다。集成晶圆는첨단litho공정에서중대한영향을열판히팅측정및및등의애플리케애플리케지원합니다합니다애플리케애플리케지원합니다

응용분야

공정 개발, 공정 인증, 공정 툴 모니터링, 공정 툴 인증, 공정 툴 매칭

光泽트랙 후노광 베이크 | 15-145°C

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Wettemp-LP.

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Wettemp-LP.

In Situ 습식 공정 웨이퍼 온도 측정 시스템

Wettemp-LP.In Situ 웨이퍼 온도 측정 시스템은 습식 세정 및 기타 습식 공정의 모니터링을 지원합니다. WetTemp-LP 모니터 웨이퍼의 두께는 표준 제품 웨이퍼 두께와 동일하여 대부분의 싱글 웨이퍼 및 분류 습식 세정 공정 시스템과 호환됩니다. 다수의 통합 온도 센서를 갖춘 WetTemp-LP는 풍부한 공간 온도 데이터를 제공하여 엔지니어가 신규 습식 세정 툴을 인증하고 습식 세정 공정을 최적화하는 작업을 지원하며 습식 세정 시스템 성능 개선을 도모합니다.

응용분야

공정 개발, 공정 인증, 공정 툴 모니터링, 공정 툴 인증, 공정 툴 매칭

습식 식각, 습식 세정 | 15-140°C

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Process Probe™1530/1535

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Process Probe™1530/1535

原位웨이퍼온도온도모니터링

Process Probe™ 1530 및 1535 계측 웨이퍼는 저온 벽, RTP, 스퍼터링, CVD, 플라즈마 스트리퍼와 에피택셜 반응기를 포함한 다양한 범위의 공정에 대한 In Situ 온도를 모니터링하는데 사용됩니다. Process Probe 1530 및 1535 는 공정주기의 주요 단계별로 직접적인 실시간 웨이퍼 온도 측정 값을 제공합니다. 엔지니어들은 종합적인 온도 데이터를 활용하여 공정 조건을 미세조정하고 특성화하며 이를 통해 개선된 공정 설비 성능, 웨이퍼 품질 및 수율을 추진합니다.

응용분야

공정 개발, 공정 인증, 공정 툴 인증, 공정 툴 매칭

저온 벽 얇은 박막 공정 챔버 (1530), 고온 벽 얇은 박막 공정 챔버 (1535) | 0-1100°C

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Process Probe™ 1630

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Process Probe™ 1630

原位웨이퍼온도온도모니터링

Process Probe™ 1630 계측 웨이퍼는 프론트 엔드 대기 및 벨트 CVD 시스템과 백 엔드 웨이퍼 솔더 범핑 리플로우 오븐를 위한 웨이퍼 온도 프로파일의 정확한 In Situ 특성화를 가능하게 합니다. 공정 엔지니어들은 Process Probe 1630을 사용하여 히터 존 설정값을 조정하기 위한 edge-to-center 온도 프로파일을 정하고 히터와 벨트에서의 산화물 증착으로 인한 열전달 변화를 조정하기 위한 증착 온도의 변화를 측정할 수 있습니다.

응용분야

공정 개발, 공정 인증, 공정 툴 인증, 공정 툴 매칭

얇은 박막 APCVD, 솔더 범프 리플로우 오븐 | 0-800°C

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Process Probe™1730

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Process Probe™1730

原位웨이퍼온도온도모니터링

Process Probe™1730계측웨이퍼는 SOG 애플리케이션, 폴리이미드, 레지스트 베이크와 오븐 애플리케이션, 온도 제어 웨이퍼 척 시스템 및 감광재 트랙 시스템 내 웨이퍼 온도 프로파일의 In Situ 특성화를 정밀하게 하도록 합니다. 엔지니어들은 Process Probe 1730을 통해 수율을 증대시키는 공정 장비 성능 개선을 가능하게 하는 공정 조건을 미세조정하고 특성화합니다.

응용분야

공정 개발, 공정 인증, 공정 툴 인증, 공정 툴 매칭

光泽트랙 시스템, 온도 제어 웨이퍼 척 시스템 및 오븐 | -150-300°C

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Process Probe™ 1840/1850

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Process Probe™ 1840/1850

原位웨이퍼온도온도모니터링

Process Probe™ 1840 및 1850 계측 웨이퍼는 고정밀 실시간 열판 온도 측정을 제공하여, 감광재 트랙 시스템 및 웨이퍼 프로버 등의 공정을 지원합니다. Process Probe 1840 및 1850은 접촉온도 센서 또는 정밀도가 낮은 공정 모니터에 의존하지 않고 웨이퍼 온도 안전성과 산포를 직접 측정할 수 있도록 합니다. Litho 엔지니어들은 Process Probe 1840 및 1850을 활용하여 감광재 베이크 온도 산포를 미세 조정하고 특성화할 수 있으며 이를 통해 첨단 Litho 공정이 높은 수율에 도달하기 위해 필요한 온도 정확도를 충족하도록 합니다.

응용분야

공정 개발, 공정 인증, 공정 툴 인증, 공정 툴 매칭

光泽트랙 후노광 베이크(PEB), 스핀온 무반사 코팅, 백엔드 프로버 | 0-250°C (1840), 0-350°C (1850)

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PlasmaSuite

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PlasmaSuite

플라즈마 데이터 분석 시스템

PlasmaView
Plasmaview銇상세한銈銈銈銈銈銈銈銈銈銈銈銈銈銈銈銈銈銈銈銈免plasmaview는etchtemp와et itemp-se에서수집한데이터데를활용하여플라즈마공정플라즈마플라즈마플라즈마플라즈마에표시표시합니다합니다합니다(2D또는3D)。공정엔지니어들은영화뷰를주요과도반응을시각화수이는있으며결함결함사에활용가능합니다。


PlasmaControl
PlasmaControl 분석 엔진은 일상 작업과 챔버 투 챔버 매칭 제어 및 모니터링을 지원합니다. 복잡한 플라즈마 식각 공정을 소수의 주요 단계로 축소하며 제어 사양과 비교하여, 단순한 ‘Go’ 또는 ‘No Go’ 결과를 런별로 제공합니다. 엔지니어들은 PlasmaControl를 통해 추세를 관찰하고, 공정사고를 검측 및 조사하며 플라즈마 식각 챔버를 비교할 수 있습니다.

응용분야

공정 개발, 공정 인증, 공정 툴 인증, 공정 툴 매칭

光泽트랙 후노광 베이크(PEB), 스핀온 무반사 코팅, 백엔드 프로버 | 0-250°C (1840), 0-350°C (1850)

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光泽Suite

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光泽Suite

光泽데이터 분석 시스템

光泽View
lithoview공정분석사용자아이스는데이터의2d및3d시계열뷰를하여표준화된데이터보기보기역량을제공제공제공역량역량제공제공제공lithoview는완전한visorwafer™커뮤니케이션,미션운영및이터다운로딩다운로딩완전한한제어제어을에게제공제공제공제공에게제공합니다또한lithoview눈완전한데이터이력추적을위한데이터베이스와와브라우저를포함포함


AutoCal TrackTune Application
Autocal TrackTune첨단소프트웨어애플리케이션은은첨단트랙열판을을교정최적화사용됩니다해당애플리케이션은sensarray®Integrated Wafer로 수집한 데이터의 정확도를 활용하여 감광재 공정 존의 온도 프로파일을 검출합니다. 상세한 온도 프로파일 데이터를 OEM 플레이트별 온도 모델링 엔진과 결합하여 최적 열판 제어 시스템 인풋 변수 설정을 생성합니다. 해당 최적 설정은 플레이트 내 산포를 급격히 개선시키며 플레이트 투 플레이트 온도 프로파일을 동기화합니다.

응용분야
공정데이터 분석
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Thermal MAP®

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Thermal MAP®

무선데이터취득및및이터데

Thermal MAP®데이터 취득 및 분석 시스템은 In Situ 웨이퍼 온도 측정을 지원합니다. Thermal MAP 시스템은 무선 ISIS (지능형 센서 인터페이스 시스템) 데이터 취득 유닛을 모든 SensArray®계측웨이퍼로부터수집한데이터를분석하고시각화하는강력한그래픽소프트웨어와결합합니다。이러한고도화된웨이퍼온도온도이터데취득및및분석시스템은및및및정상정상정상상태상태우수한한한한한한한정확도한우수한한정확도에서에서한한정확도热映射은은온도,정상상태및램프다운에정확유용유용그래픽표현제공으로써으로써아래을활용하여한공정

  • 박막 두께와 저항성 맵에 대한 상관관계를 지원하는 윤곽 및 표면 맵
  • 공정 중 온도 프로파일 변화를 신속하게 볼 수 있는 애니메이션
  • 런투런 및 위드인 런 분석

응용분야
공정 데이터 분석
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Thermal TRACK5

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Thermal TRACK5

손에 들고 쓰는 무선 데이터 취득

Thermal TRACK5 데이터 취득 시스템은 연결된 SensArray®Process Probe로 측정된 웨이퍼 제품과 연관된 In Situ 웨이퍼 온도 측정을 지원합니다. Thermal TRACK 5 시스템은 온도 프로필의 특성화를 위한 데이터 로그 작업 및 실시간 시각화 목적으로 무선 ISIS 5(지능형 센서 인터페이스 시스템) 데이터 취득 유닛을 손에 들고 쓰는 개인 어시스턴트와 결합합니다. 램프업, 정상 상태, 쿨 다운 시의 웨이퍼 온도에 대한 유용한 그래픽 표현을 제공함에 따라 Thermal TRACK 5는 대부분의 공정을 관리하는 신속하고 비용 효율적인 방식을 제공합니다. 이러한 휴대용 시스템은 과도 상태 및 정상 상태 측정을 위한 높은 수준의 정확도, 정밀도와 해상도를 제공하여 Fab 엔지니어들이 온도 설정 값을 교정하고 확인하면 사전에 정의된 예방적 유지보수 점검을 진행하는데 필요한 필수 데이터를 제공합니다.

응용분야
공정 툴 모니터링
연결 유틸리티 소프트웨어 다운로드 링크
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