EtchTemp系列

EtchTemp系列

原位等离子体腐蚀晶圆温度测量系统

EtchTemp系列的原位晶圆温度测量系统捕捉了等离子蚀刻工艺环境对生产晶圆的影响。EtchTemp-HD测量系统包括高传感器密度，可实现跨晶片温度监测，与导体蚀刻应用中的CD均匀性控制密切相关。通过表征与产品晶圆条件密切相关的热条件，EtchTemp-HD无线晶圆协助工艺工程师调整蚀刻工艺条件，以及线等离子蚀刻室前端的鉴定、匹配和pm后验证。

SensArray^®自动化

SensArray^®自动化

在现场温度测量自动化包

的SensArray^®自动化包提供快速自动收集过程工具室温度测量。该套件包括一个架空轨道(OHT)兼容的FOUP，自动化站，系统自动化控制器和办公PC软件座椅组件。senarray FOUP可以处理的方式与任何生产FOUP相同，直接数据移植到SPC图表。SensArray Automation通过提高工艺工具的可用性、更有效地利用工程资源和工厂MES数据库中的集中数据存储来提高生产效率。

hightemp - 400

hightemp - 400

原位膜沉积晶圆温度测量系统

HighTemp-400现场晶圆温度测量系统旨在优化和监控先进的薄膜工艺(FEOL和BEOL ALD, CVD和PVD)和其他高温工艺。HighTemp-400无线晶圆测量工艺工具的热均匀性，提供在真实生产工艺条件下收集的时间和空间温度数据。通过揭示影响工艺窗口和图形化性能的热变化，HighTemp-400帮助集成电路制造商集成新材料、晶体管技术和复杂的图形化技术。

紫外线晶片

紫外线晶片

原位沉积和退火紫外光测量系统

UV Wafer in situ ultraviolet (UV) light measurement系统利用无线传感器晶圆技术在薄膜沉积工艺工具中测量晶圆表面的紫外光剂量和强度。UV Wafer提供了用于退火或固化FCVD(流动)氧化物和低k介电膜的UV灯照射到晶圆表面的光强度的时间和空间信息，从而实现了以前无法实现的工艺优化和监控。紫外晶片还可以识别灯龄引起的漂移或灯强度的其他变化，这些变化导致薄膜性能不均匀。通过突出UV灯子系统中的光学系统问题，UV Wafer帮助工程师推动工艺工具的改进，从而获得最佳的固化工艺。

MaskTemp™2

MaskTemp™2

原位十字线温度测量系统

掩模车间使用MaskTemp™2原位标线温度测量系统，对电子束刻录机和高温标线工艺步骤进行鉴定和监控。MaskTemp 2在电子束掩模编写者的资格认证中起着关键作用，因为要完全编写掩模，需要在长达24小时的时间内保持极端的温度稳定性。在电子束掩模写入器内部，MaskTemp 2连续24小时收集温度数据，为掩模制造商在写入关键掩模之前提供需要的数据，以确保系统的热稳定性。Mask Temp 2还支持曝光后烘焙表征、热板温度均匀性监测、热板匹配和其他高温工艺应用，帮助掩模制造商识别和减少影响最终线形质量的后写工艺热变化。

ScannerTemp

ScannerTemp

原位扫描晶圆温度测量系统

ScannerTemp原位晶圆温度测量系统支持监测干式、浸没式和极紫外光刻扫描仪。ScannerTemp无线晶圆可以产生高精度的时间和空间晶圆温度数据，可以帮助光刻工程师描述和监控影响图案覆盖性能的扫描仪热变化。ScannerTemp采用扁平的标准厚度晶圆格式，可用于监测光刻热均匀性和稳定性，具有高精度和低噪音，使扫描仪合格和匹配。

集成晶片™

集成晶片™

原位光刻晶圆温度测量系统

集成晶圆™原位晶圆温度测量系统收集关键的热数据，用于监测和维护光刻过程。集成晶圆采用无线、低调的设计，可以用于几乎所有的光刻工艺设备，为关键生产工艺提供高精度的静态和动态温度测量。集成晶圆可以帮助光刻工程师描述热剂量均匀性，并分析热循环的各个部分，包括传输、加热、冷却和稳态操作。集成晶圆支持在先进光刻工艺中测量和监控关键热板加热区元件(如跟踪曝光后烘烤台)。

WetTemp-LP

WetTemp-LP

现场湿法加工晶圆温度测量系统

WetTemp-LP现场晶圆温度测量系统支持对湿清洁和其他湿过程的监控。WetTemp-LP监控晶片与标准产品晶片厚度相同，确保与大多数单晶片和批量湿清洗工艺系统的兼容性。通过集成多个温度传感器，WetTemp-LP提供了丰富的空间温度数据，帮助工程师鉴定新的湿式清洁工具，优化湿式清洁过程，推动湿式清洁系统性能的提高。

过程调查™1530/1535

过程调查™1530/1535

现场晶圆温度监测系统

Process Probe™1530和1535仪器化晶片用于监测各种工艺的现场温度，包括冷壁、RTP、溅射、CVD、等离子体剥离器和外延反应器。工艺探头1530和1535在工艺周期的每个关键步骤中提供对晶圆温度的直接、实时测量。有了这些全面的温度数据，工艺工程师可以描述和微调工艺条件，推动改进工艺设备性能、晶圆质量和成品率。

过程探测™1630

过程探测™1630

现场晶圆温度监测系统

Process Probe™1630仪器化晶圆能够对前端大气和带式CVD系统以及后端晶圆焊料凹凸回流炉的晶圆温度分布进行精确的原位表征。通过工艺探头1630，工艺工程师可以确定边缘到中心的温度曲线，以调整加热器区域设置点，并测量沉积温度的漂移，以调整加热器和传热带上的氧化物积累的传热变化。

过程探测™1730

过程探测™1730

现场晶圆温度监测系统

Process Probe™1730仪器化晶圆可以在光刻胶跟踪系统、温度控制晶圆卡盘系统、烘箱应用、以及电阻烘烤、聚酰亚胺和SOG应用中对晶圆温度剖面进行精确的原位表征。Process Probe 1730帮助工程师描述和微调工艺条件，以提高工艺设备性能，获得更高的成品率。

过程调查™1840/1850

过程调查™1840/1850

现场晶圆温度监测系统

工艺探针™1840和1850仪器化晶圆提供高精度，实时热板温度测量，支持工艺，如光刻胶跟踪系统和晶圆探针。过程探头1840和1850允许直接测量晶圆温度稳定性和均匀性，而不依赖不精确的过程监视器或接触温度传感器。利用工艺探头1840和1850，光刻工程师可以表征和微调光刻胶烘烤温度的均匀性，确保先进的光刻工艺满足实现高产量所需的温度精度。

PlasmaSuite

PlasmaSuite

等离子体数据分析系统

PlasmaView
PlasmaView过程分析查看系统为查看详细的等离子蚀刻过程分析提供了一个直观的界面。使用从EtchTemp和EtchTemp- se收集的数据。PlasmaView显示等离子过程数据与时间和空间(2D或3D)。电影视图允许工艺工程师可视化关键瞬态响应，可用于故障调查。

PlasmaControl
plasmaccontrol分析引擎有助于监测和控制日常操作和室间匹配。它将复杂的等离子蚀刻过程浓缩到几个关键部件，并将它们与控制规格进行比较，为每次操作提供简单的“开始”或“停止”结果。plasmaccontrol为工程师提供了查看趋势，检测和调查漂移，并比较等离子蚀刻工艺室的能力。

LithoSuite

LithoSuite

光刻数据分析系统

LithoView
LithoView过程分析用户界面提供了标准化的数据查看能力，包括数据的2D和3D时间视图。LithoView为工程师提供完整的任务控制能力，如完整的SensorWafer™通信、任务操作和数据下载。LithoView还包括一个数据库和浏览器，用于完全跟踪数据历史。

AutoCal TrackTune应用程序
AutoCal TrackTune高级软件应用程序用于校准和优化先进的轨道热板。该应用程序利用了使用SensArray收集的数据的准确性^®集成晶片捕捉光刻胶加工区域的温度分布。通过结合详细的热剖面数据和OEM板专用热建模引擎，它生成优化的热板控制系统输入参数设置。这些优化设置显著改善板内均匀性和同步板间的热剖面。

温度图^®

温度图^®

无线数据采集和数据分析

热地图^®数据采集和分析系统支持现场晶圆温度测量。Thermal MAP系统将无线ISIS 5(智能传感器接口系统)数据采集单元与强大的图形软件相结合，可以对SensArray收集的数据进行可视化和分析^®检测晶片。这一精密的晶片温度数据采集和分析系统为瞬态和稳态测量提供了卓越的精度、精度和分辨率。通过提供温度上升、稳态和下降的简洁、信息丰富的图形表示，Thermal MAP使用以下工具支持快速工艺优化:

• 等高线和表面图，以帮助相关的薄膜厚度和电阻率图
• 动画快速查看温度剖面变化过程中
• 运行间和运行内分析

热跟踪^™5

热跟踪^™5

手持无线数据采集

热跟踪^™5数据采集系统支持从有线传感器阵列进行现场晶圆温度测量^®调查过程^™检测晶片产品。Thermal TRACK 5系统将无线ISIS 5(智能传感器接口系统)数据采集单元与手持个人数字助理相结合，用于实时可视化和记录温度分布特征的数据。通过提供晶圆在升温、稳定和冷却期间的温度信息图形表示，Thermal TRACK 5为管理大多数工艺提供了一种快速和经济有效的方法。该便携式系统为瞬态和稳态测量提供了高精度、精度和分辨率，为工厂工程师校准和检查温度设定值和运行预定义的预防性维护检查提供了关键数据。