晶圆处理系统先进封装
晶圆处理系统先进封装
SPTS为先进的封装方案提供了一系列等离子体蚀刻和沉积工艺技术，从高密度扇出晶圆级封装（FOWLP）到最先进的3D封装，其中两个或多个可能用于不同功能的芯片通过硅通孔（TSV）垂直堆叠和连接充满了金属。利用数十年来在硅蚀刻方面的专业知识，SPTS还提供了最先进的等离子划片解决方案，用于直径达300mm的晶片的研磨前划片（DBG）或研磨后划片（DAG）。SPTS经验证的生产工艺和精确的过程控制使芯片制造商能够降低生产成本，提高可靠性、性能和多功能集成。
欧米茄®等离子刻蚀
硅等离子体蚀刻系统
SPTS欧米茄®等离子体蚀刻系统包括的用于高速率硅在先进封装应用蚀刻处理模块剑杆™范围。剑杆™蚀刻模块用于创建经由通过硅晶片的孔或槽或内插器为2.5D / 3D-IC封装应用垂直的或锥形的，高纵横比，以及用于经由毛毯揭示蚀刻以从背面露出的Cu填充通孔的晶片。剑杆™XE处理模块结合配方可调均匀性的蚀刻速率比竞争系统用于衬垫硅蚀刻更快通常2-4次。相同的过程可用于极端晶片通过蚀刻停止层的掺入减薄至5μm或0.5μm的甚至。SPTS还提供独特的，受专利保护的终点为TSV刻蚀通过揭示和大批量生产的解决方案，极端细化过程，使最佳的吞吐量和产量。
Sigma.®PVD
物理气相沉积系统沉积金属
该SPTS西格玛®PVD系统用于存款金属如金，铝，钛，TIW和Cu，在Si或模具晶片。有机钝化和用于先进封装技术新的衬底材料的通过目前的技术挑战凸点下金属化（UBM）和再分布层（RDL）。使用新颖脱气和预清洁技术，所述Σ®PVD系统产生持续的低Rc值，同时提供比其他PVD系统2倍的吞吐量优势。在2.5D和3D-IC应用中，SPTS的高级Hi-Fill®电离PVD源在高纵横比TSV中提供世界级的铜屏障/种子覆盖。
希腊字母表的第4个字母™PECVD
等离子体增强化学气相沉积系统
对于高级封装应用，SPTS Delta™ PECVD系统提供与300毫米粘合基板和模具兼容的低温沉积工艺。希腊字母表的第4个字母™ PECVD在低至110°C的沉积温度下生产出高质量、生产合格的SiO和SiN薄膜。SiN–SiO叠层可在同一PECVD室中沉积，具有高可靠性的电气性能和长期稳定性。薄膜和堆叠应力可在宽范围内调节，优化的腔室硬件可使晶圆内的应力在竞争的PECVD系统中达到最低。在需要的情况下，单晶片和多晶片脱气选项可用于加热排气基板并提高沉积膜质量。优化的SiO、TEOS-SiO和其他高级介质膜可用于熔合键合应用。