计量
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KLA的计量系统解决了一系列芯片和基板制造应用,包括验证设计可制造性,新工艺表征和大批量制造过程监测。通过提供精确测量图案尺寸,膜厚度,层面对准,图案放置,表面形貌和电光特性,我们综合的计量系统允许芯片制造商能够保持对其工艺的紧密控制,以改善设备性能和屈服。
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覆盖计量系统
Archer™750覆盖计量系统为快速技术斜坡和前沿存储和逻辑设备的稳定生产提供准确的产品覆盖误差反馈。波长可调10nm分辨率提供了准确和稳健的覆盖误差测量存在的生产工艺变化。Archer 750基于成像的覆盖系统支持增加高阶扫描仪校正的采样,并支持在线监测的高吞吐量。先进的算法和新型的rAIM™覆盖目标设计改善了目标和设备覆盖错误之间的相关性,帮助光刻机准确跟踪设备覆盖性能。
应用程序
产品覆盖控制,在线监控,扫描仪认证,模式控制相关产品
Archer 700:基于成像的叠加计量系统,配有可调谐光源,用于≤7nm逻辑和先进的存储设计节点的精确和过程稳健的叠加误差测量。
阿切尔600:基于成像的高级存储器的覆盖计量系统和≤10nm逻辑器件。
阿切尔500 lcm:基于双成像和散射测量的覆盖测量模块,用于2Xnm/1Xnm设计节点的一系列工艺层。
阿切尔500:基于成像的2Xnm/1Xnm设计节点覆盖计量系统。
atl:基于散射计的覆盖计量系统,用于≤7nm逻辑和先进的存储设计节点。
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光学关键尺寸(CD)和形状计量系统
SpectraShape™11k维计量系统用于充分表征和监控finfet的关键尺寸(CD)和三维形状,垂直堆叠的NAND和DRAM结构,以及集成电路在前沿设计节点上的其他复杂功能。利用光学技术和专利算法的显著进步,SpectraShape 11k能够识别一系列工艺层中关键器件参数(关键尺寸、高k和金属栅凹槽、侧壁角度、抗蚀剂高度、硬掩膜高度、间距行走)的细微变化。通过改进的阶段和新的测量模块,SpectraShape 11k能够实现高通量操作,能够在线快速识别工艺问题,帮助晶圆厂加速良率上升,实现稳定生产。
应用程序
在线过程监控,模式控制,过程窗口扩展,过程窗口控制,高级过程控制(APC),工程分析相关产品
AcuShape®:先进的建模软件可以解释来自SpectraShape系统的信号,帮助加快构建健壮的、可用的3D形状模型的过程。
SpectraShape 10 k:可用于1Xnm逻辑和先进存储IC器件的复杂特性测量的光盘和形状计量系统。
Spectarkape 9000:可用于测量20nm及以下设计节点IC器件复杂特性的光盘和形状计量系统。
SpectraShape 8810/8660:光学CD测量和形状测量系统,可以在32nm和下面的设计节点下处理IC器件的关键结构参数的过程监控。
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电影计量系统
SpectraFilm™F1薄膜计量系统通过为广泛的薄膜层提供高精度薄膜测量,帮助实现在7nm以下逻辑和前沿存储设计节点的严格工艺公差。高亮度光源驱动了光谱椭偏仪技术,提供了精确测量带隙所需的信号,并在电子测试前几周提供了电学性能的洞察。新的FoG™(光栅上的薄膜)算法通过在类器件光栅结构上进行薄膜测量,进一步增加了测量与设备的相关性。随着吞吐量的增加,SpectraFilm F1提供了高生产率,支持与前沿器件制造技术相关的薄膜层数量的增加。
应用程序
带隙监控,工程分析,在线工艺监控,工具监控,工艺工具匹配相关产品
SpectraFilm LD10:Spectrafilm™LD10薄膜计量系统提供可靠,高精度的薄膜厚度和薄膜厚度,折射率和应力,用于16nm设计节点和超越的薄膜层。
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电影计量系统
Aleris的®薄膜计量系统为32nm及以上的节点提供可靠和精确的薄膜厚度、折射率、应力和成分测量。Aleris薄膜计量系统利用宽带光谱椭偏仪(BBSE)技术,形成了一个全面的薄膜厚度测量和计量解决方案,帮助晶圆厂鉴定和监控广泛的薄膜层。
Aleris 8330
Aleris 8330薄膜计量系统是非关键薄膜的低成本拥有解决方案,包括金属间电介质、光抗蚀剂、底部抗反射涂层、厚氧化物和氮化物,以及线层的后端。
Aleris 8350
Aleris 8350是一种高性能的薄膜计量系统,能够满足对关键薄膜的厚度、折射率和应力测量所要求的更严格的工艺公差。Aleris 8350薄膜厚度测量系统用于各种关键薄膜的先进薄膜显影、表征和过程控制,包括超薄扩散层、超薄栅氧化物、先进光刻胶、193nm ARC层、超薄多层叠加层和CVD层。
Aleris 8510.
Aleris 8510将Aleris家族的薄膜厚度测量、成分和应力测量能力扩展到先进的高k金属栅(HKMG)和超薄解耦等离子体氮化(DPN)工艺层。Aleris 8510薄膜厚度测量系统利用增强的150nm宽带光谱椭偏技术,为工程师提供开发和在线监测DPN层和所有HKMG层所需的薄膜计量数据——从门到聚,包括Hf和N剂量和薄膜厚度测量。
应用程序
工程分析,内联工艺监控,工具监控,工艺工具匹配对此产品感兴趣或有疑问?
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图形晶圆几何(PWG)计量系统
的倍增™图形晶片计量平台为先进的3D NAND、DRAM和逻辑制造商提供全面的晶片平面度和双面纳米形貌数据。PWG5™具有高分辨率和高密度采样,测量应力诱导的晶片形状,晶片形状诱导的图案覆盖误差,晶片厚度变化和晶片前部和后侧形貌。通过行业最佳动态范围,PWG5支持内联监测和控制晶圆经纱和沉积工艺,用于制造高级3D NAND设备的96+层堆叠的沉积过程。PWG5识别源的过程诱导的晶片形状变化,从而能够重新工作晶片,重新校准过程工具或与KLA的5D分析仪集成®数据分析系统向扫描仪馈送结果,以提高产品覆盖和整体设备产量。
应用程序
过程监控,在线监控,光刻覆盖控制相关产品
PWG3.™:第三代图案化晶片几何测量系统,支持在2x / 1xnm设计节点的一系列内存和逻辑设备类型的Fab-宽工艺内的内联监控。
PWG2.™:第二代图形化晶圆几何测量系统,支持在2X设计节点上对一系列存储和逻辑设备类型的晶圆厂全流程进行内联监控。
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全表面晶圆缺陷检测、计量和评审群集系统
CIRCL™集群工具有四个模块,覆盖所有晶圆表面,并以高吞吐量提供并行数据收集,以有效的过程控制。最新一代CIRCL5系统的模块包括:晶片前端缺陷检测;薄片边缘缺陷的检验、轮廓、计量及审核;背面晶片缺陷检查与评审;以及正面缺陷的光学回顾和分类。数据收集由DirectedSampling™控制,这是一种创新方法,使用一次测量的结果来触发集群内其他类型的测量。CIRCL5的模块化配置为不同的过程控制需求提供了灵活性,节省了整体晶圆空间,减少了晶圆排队时间,并提供了一个具有成本效益的升级路径,以保护晶圆的资本投资。