MRAM技术
MRAM有宏伟的计划。除了物联网(IoT)和汽车芯片,集成电路(IC)企业还计划将MRAM集成到其他移动应用程序中。高读/写速度和非波动性提供了显著的优势。逻辑电路可以更快地访问内存,从而延长电池寿命。
MRAM:一个具有挑战性的过程
MRAM的制造需要对沉积、退火、磁化和蚀刻的关键控制,这些复杂的堆叠有20到30个非常薄的金属和绝缘层。这些存储单元可以组成一个独立的存储芯片,或者在BEOL工艺流程中,当芯片接近完成且芯片价值较高时,嵌入到逻辑芯片中。内联、非破坏性过程控制是理解和预测最终器件性能的关键。
MRAM工艺流程与控制
磁隧道结(MTJ)
膜厚度
CIPT
在经过沉积、退火和磁化处理后,CIPT为自由层提供了重要的性能
这种技术被认为是内联MRAM监控的标准
CAPRES CIPTech®
笨人
散射测量
点击上面的KLA产品链接,了解更多关于KLA如何帮助测量和控制MRAM过程中的关键参数