MRAM技术

MRAM有宏伟的计划。除了物联网(IoT)和汽车芯片,集成电路(IC)企业还计划将MRAM集成到其他移动应用程序中。高读/写速度和非波动性提供了显著的优势。逻辑电路可以更快地访问内存,从而延长电池寿命。

手持未来装置的人

MRAM进程堆栈

MRAM:一个具有挑战性的过程

MRAM的制造需要对沉积、退火、磁化和蚀刻的关键控制,这些复杂的堆叠有20到30个非常薄的金属和绝缘层。这些存储单元可以组成一个独立的存储芯片,或者在BEOL工艺流程中,当芯片接近完成且芯片价值较高时,嵌入到逻辑芯片中。内联、非破坏性过程控制是理解和预测最终器件性能的关键。

MRAM工艺流程与控制

磁隧道结(MTJ)

MRAM流程流

膜厚度

椭偏光谱技术提供了有价值的薄膜厚度信息
在MTJ堆栈中,需要高精度的单个金属层厚度测量
了解薄膜厚度是控制MRAM器件性能的关键
解放军SpectraFilm™

CIPT

电流平面内隧穿(CIPT)是一种12点探针技术,用于测量电阻与磁场的关系
在经过沉积、退火和磁化处理后,CIPT为自由层提供了重要的性能
这种技术被认为是内联MRAM监控的标准
CAPRES CIPTech®

笨人

磁光克尔效应(MOKE)检测到堆栈中自由层和固定层的细微变化
非接触式测量使用强磁场来确定极化状态的变化
光学技术不需要特殊的目标,可以在蚀刻前后进行测量
本PKMRAM

散射测量

光学散射法(SCD)测量决定了单个细胞在蚀刻后的形状
对器件的测量提供了最相关的结构信息
MRAM结构的形状决定了MRAM单元的最终电气性能
解放军SpectraShape™

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